18나노 D램1 삼성전자, D램 마의 벽 넘었다… 18나노 양산 스타트 삼성전자, D램 마의 벽 넘었다… 18나노 양산 스타트 삼성전자가 D램 미세공정 기술의 `마의 벽`을 넘었다. 10나노대 D램을 세계 최초로 양산했다. 국내외 경쟁사는 아직 20나노 초반대 D램도 주력 공정으로 올리지 못했다. 삼성전자가 10나노대 D램을 양산하면서 후발업체인 미국 마이크론과의 기술 격차를 2년 이상 벌렸다는 것이 전문가 분석이다. PC 수요 역성장, 스마트폰 성장세 둔화로 D램 가격은 하락세에서 좀처럼 벗어나지 못하고 있지만 삼성전자는 공정 전환에 따른 원가 절감으로 경쟁사보다 월등히 높은 이익률을 기록할 전망이다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 회로 선폭이 18나노인 D램 양산을 시작했다. 초기 생산 품목은 PC에 탑재되는 범용 D램이다. 주요 고객사의 특성 테스트를 통과, 일.. 2016. 3. 28. 이전 1 다음 반응형
